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纤小10GHz RF MEMS开关(Omron)

Omron宣布可提供世界最小的10GHz RF MEMS开关,8GHz时为1dB插入损耗。封装为LGA12,尺寸仅仅 5.2 x 3.0 x 1.8mm。Omron Type 2SMES-01 MEMS开关目标用于ATE、RF测量仪器仪表以及类似应用。相比 ...
2008年12月24日 15:03   |  
MEMS   Omron   开关   纤小  

可编程线性霍尔效应传感器(Micronas)

Micronas推出可编程线性霍尔效应传感器HAL 880,它是Micronas线性霍尔传感器HAL8xy系列的补充。器件使用数字技术提供优越的传感性能,并具有线性模拟输出,从而可以与现有传感器设计兼容。HAL 8 ...
2008年12月24日 14:58   |  
Micronas   传感器   霍尔效应   可编程   线性  

小尺寸自保护式MOSFET(Diodes)

Diodes公司扩展其IntelliFET产品系列,推出全球体积最小的完全自保护式低压侧MOSFET。该ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封装,与正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT223封装的元件相比节 ...
2008年12月24日 14:54   |  
Diodes   MOSFET   尺寸  

低导通电阻TrenchFET功率 MOSFET(Vishay)

Vishay推出新型20V 和30V的p沟道TrenchFET功率 MOSFET Si7633DP和Si7135DP。器件采用SO-8 封装,具有 ±20V栅源极电压以及业内最低的导通电阻。现有的同类 SO-8 封装器件额定电压下导通电阻仅低 ...
2008年12月24日 14:16   |  
MOSFET   TrenchFET   Vishay   电阻   功率  

小尺寸ESD保护二极管(意法半导体)

意法半导体推出全新ESD保护二极管产品系列,新产品的尺寸比上一代缩小67%,能够承受最严格的IEC61000-4-2标准的 ESD测试脉冲,低钳位电压特性有助于提高对调制解调器等低压芯片的保护性能。ESDA ...
2008年12月24日 14:08   |  
ESD   半导体   尺寸   二极管  

新型高端负载开关(Vishay)

Vishay推出一款新型有保护的高端负载开关SiP4613A/B。该器件可在2.4V~5.5V的电源电压范围内运行,并可处理1A的持续输出电流。SiP4613A/B面向众多应用,其中包括笔记本电脑、PDA及其他便携式电 ...
2008年12月24日 14:05   |  
Vishay   负载   高端   开关  

高动态范围CMOS图像传感器(MELEXIS)

MELEXIS推出的CMOS图像传感器MLX75307 是为汽车前向视觉应用所设计,对于潜在危险会给驱动器提供预警。器件具有高动态范围像素矩阵,能够扩展输入和输出动态范围,表现出超越分段线性响应。此外 ...
2008年12月24日 14:00   |  
CMOS   MELEXIS   动态范围   图像传感器  

高灵敏光数字传感器(Intersil)

Intersil推出业界性能最佳、简单易用的光数字传感器ISL29020,具有高性能、低光照条件下的高灵敏度(<0.015lux)、宽动态范围、最佳的光谱响应,以及最佳的红外和紫外抑制。ISL29020在能效上也 ...
2008年12月24日 13:51   |  
Intersil   传感器   数字  

高吞吐300万像素CMOS图像传感器(赛普拉斯)

赛普拉斯半导体推出具有13.2Gbps业界最高数字数据吞吐能力的 CMOS 图像传感器商用样片LUPA-3000。该传感器具有 485帧/秒 (fps)高帧速率的触发式与流水线式同步快门以及能够确保保真图像与快速读 ...
2008年12月24日 13:43   |  
CMOS   赛普拉斯   图像传感器   吞吐   像素  

自我保护的12V背板热插拔开关(Maxim)

Maxim推出具有自我保护及重启功能的完全集成热插拔开关 DS4560。该器件极大地减少了12V供电背板系统中保证安全插入和拔出操作所需的元件数量。为减小方案尺寸、简化设计,DS4560集成了25mΩ n沟 ...
2008年12月24日 13:37   |  
Maxim   背板   开关   热插拔   自我保护  

高集成过压保护IC(安森美)

安森美半导体(ON Semiconductor)推出NUS6189新器件,将过压保护(OVP)电路的性能和功能、30V P沟道功率MOSFET、低饱和电压(VCE(sat))晶体管和低导通阻抗(Rds(on)) 功率MOSFET集成到节省空间的一 ...
2008年12月24日 13:25   |  
安森   过压  

超低静态电流LDO(凌力尔特)

凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出高压、微功率、基于PNP的LDO系列最新成员LT3008,该器件具有仅为3uA的超低静态电流。LT3008具有高输入电压能力,范围为2.0V至45V,并具有范围 ...
2008年12月24日 12:07   |  
LDO   电流   静态   凌力尔  

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