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IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种功率半导体器件，它结合了MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）和BJT（双极型三极管）的优点，具有高输入阻抗、高开关速度和低导通电阻等特点。IGBT的作用主要体现在以下几个方面：

1. **开关作用**：IGBT最基本的作用是作为电力电子系统中的开关，控制电流的流通和截止。通过改变栅极电压，IGBT可以在导通和关断状态之间切换，从而控制连接在其两端的电路的电流。

2. **电压控制**：IGBT是电压驱动的器件，这意味着它的导通和关断状态可以通过控制栅极和发射极之间的电压来实现。这种特性使得IGBT在需要精确控制电压和电流的应用中非常有用。

3. **低饱和电压**：与GTR（门极可控硅）相比，IGBT具有较低的饱和电压，这意味着在导通状态下，IGBT的功耗较低，效率较高。

4. **快速开关速度**：IGBT的开关速度比传统的双极型晶体管快，这使得它在需要快速响应的场合（如变频器、开关电源等）中得到广泛应用。

5. **高耐压能力**：IGBT能够承受较高的电压，适用于高电压应用场景，如电动汽车、工业电机驱动、电力传输等。

6. **电导调制效应**：由于IGBT内部的PNP晶体管结构，它可以利用电导调制效应，在高电压下减小N-层的电阻，从而降低通态电压和功耗。

7. **广泛应用**：IGBT广泛应用于电机驱动、电力转换、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域，是现代电力电子技术中不可或缺的核心组件。

8. **模块化设计**：IGBT通常可以集成在模块中，与其他必要的组件（如二极管、保护电路等）一起提供，以简化系统设计和提高可靠性。
总结来说，IGBT的作用是通过其高效的开关能力、低饱和电压和高耐压特性，在各种电力电子系统中实现对电流和电压的精确控制，从而提高系统的整体性能和效率。