专家认为三星和美光在DRAM内存技术上的差距已几乎消失，内存业即将迎来重大技术变革期
发布时间：2023-11-27 11:03
发布者：eechina
|
来源： THE KOREA DAILY 对占全球市场 70% 以上份额的国内 D-RAM 存储器公司的反击正在加剧。不过，也有积极的论点认为，通过设计和制造模式的转变，D-RAM 可以发展成为一种高价值产品。 TechInsights 高级副总裁 Choi Jeong-dong 在 23 日闭幕的国际半导体制造技术大会（KISM 2023）上说："在 D-RAM 制造工艺方面，三星电子与世界排名第三的美光公司之间的技术差距几乎已经消失。"KISM 是韩国最大的年度国际半导体会议，讨论最新的半导体研究趋势并预测未来，今年的会议于 19-23 日在釜山天堂酒店举行，来自全球 15 个国家的 800 多人参加了会议。 据 Choi 介绍，美光今年开发出了 LPDDR5（移动用低功耗 D-RAM）的第五代（1b）工艺。据报道，该产品供应给了苹果公司 9 月份发布的 iPhone 15。 当然，三星电子（今年第二季度占 38.2%）和 SK 海力士（占 31.9%）在全球 D-RAM 市场上占有重要地位。美光的份额为 25.8%。"三星在芯片设计、生产、良率和采用极紫外光（EUV）方面仍然领先，"Choi 说，"但美光在收购日本尔必达之后，正在以一种可怕的方式迎头赶上。" 美光采用在美国和日本实验室交替开发新一代 D-RAM 工艺的策略，正在赶超三星。SK hynix 也加入了争夺领导地位的竞争行列，它已开发出 10 纳米第五代 DDR5，并于 5 月份向英特尔发货。 挑战就在眼前。业界预计，D-RAM 超精细工艺将在 10 纳米处遭遇物理极限，目前尚处于 10 纳米早期。因此，各公司为突破 "10 纳米障碍 "展开了激烈竞争，如三维（3D）D-RAM 和 4F²，但它们仍处于早期研究阶段。如果制定了新的技术标准，那么从半导体设计开始，就必然会发生根本性的变化。 专家们认为，K-存储器正处于危机与机遇并存的时刻。存储器半导体历来用于小规模、大规模生产的通用产品，现在正逐渐摆脱系统半导体的辅助作用，成为定制的高价值产品。 "SK hynix 副总裁 Jin Il-seop 告诉《中央日报》："内存市场即将发生重大转变，我们刚刚开始考虑如何应对，因为客户对性能有不同的需求，比如高带宽内存（HBM）。""他补充说："计算设备和存储设备之间的门槛正在降低，因此我们正准备迎接存储器半导体的良好机遇。 |
网友评论